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삼성전자, 차세대 HBM 구조 변경 추진…고단 대응 신개념 특허 출원

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AI핵심 요약

·삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 신뢰성 문제 해결을 위한 신규 특허를 출원한 것으로 확인됐다.
·HBM4E와 HBM5 등 고적층 시대가 임박하면서 메모리 다이를 보호하는 '더미 다이(Dummy Die)' 구조를 혁신, 구조적 안정성과 수율 안정성을 추구하고 있는 것으로 나타났다.
·28일 해당 HBM 패키징 특허에 따르면 삼성전자는 스택 최상단의 더미 다이 측면을 3단 계단식 +곡면 구조로 가공하는 기술을 개발했다.
·고적층 HBM에서 흔히 발생하는 칩 박리(Delamination), 균열(Cracking), 휨(Warpage) 문제를 효과적으로 개선할 수 있는 방식이다.
·HBM은 베이스 다이 위에 다수 메모리 다이를 수직 적층하고, 그 위에 최상부 더미 다이를 올리는 구조다.